Diac - Работни и приложни схеми
Diac е двутерминално устройство с комбинация от паралелно-обратни полупроводникови слоеве, което позволява устройството да се задейства през двете посоки, независимо от полярността на захранването. Diac Характеристики
Diac е двутерминално устройство с комбинация от паралелно-обратни полупроводникови слоеве, което позволява устройството да се задейства през двете посоки, независимо от полярността на захранването. Diac Характеристики
Симистор може да се сравни с фиксиращо реле. Той незабавно ще се включи и затвори веднага щом се задейства и ще остане затворен, докато захранването е
Отстраняване на неизправности на веригите BJT е процес на идентифициране на електрическите повреди в мрежата с помощта на мултиметри в различните възли във веригата. Техниките за отстраняване на неизправности на BJT са огромни
IGBT означава биполярен транзистор с изолирана порта, силов полупроводник, който включва характеристиките на високоскоростното превключване на портата на MOSFET и зависимостта на минималното съпротивление на ON (ниско напрежение на насищане)
В тази публикация ние обсъждаме рейтингите на лавините на MOSFET и се научаваме как правилно да разберем тази оценка в таблицата с данни, как параметърът е тестван от производителя и мерките за
Ако се чудите или се притеснявате точно колко енергия може да понесе вашият MOSFET при екстремни условия или при екстремни дисипативни ситуации, тогава SOA фигурите на устройството
SSR или твърдотелните релета са електрически превключватели с висока мощност, които работят, без да включват механични контакти, вместо това те използват полупроводници като MOSFET за превключване на електрически товар. SSR
Два основни типа БНТ, които съществуват в момента, са: JFET и MOSFET. MOSFET-овете могат допълнително да бъдат класифицирани по тип на изчерпване и подобрение. И двата типа определят основния режим
OPTOCOUPLERS ИЛИ OPTOISOLATORS са устройства, които позволяват ефективно предаване на DC сигнал и други данни през два етапа на веригата и същевременно поддържат отлично ниво на електрическа изолация между