В този пост ние обсъждаме метода за правилна замяна на BJT с MOSFET, без да се засяга крайният резултат от веригата.

Въведение

До пристигането на MOSFET в областта на електрониката, транзисторите или BJT, за да бъдат точни, се управляваха веригите и приложенията за превключване на мощността.

Въпреки че дори двуполюсните транзистори за свързване (BJT) не могат да бъдат игнорирани поради огромна гъвкавост и ниска цена, MOSFET също със сигурност са станали изключително популярни, що се отнася до превключването на тежки товари и поради високата ефективност, свързана с тези компоненти.

Въпреки това, въпреки че тези два аналога могат да изглеждат сходни със своите функции и стил, тези два компонента са напълно различни със своите характеристики и конфигурации.

Разлика между BJT и MOSFET

Основната разлика между BJT и MOSFET е, че работата на BJT зависи от тока и трябва да бъде пропорционално увеличена с товара, докато MOSFET зависи от напрежението.

Но тук MOSFET получава предимство над BJT, тъй като напрежението може лесно да се манипулира и да се постигне до необходимите градуси без много проблеми, за разлика от увеличаването на тока означава по-голяма мощност, която трябва да бъде доставена, което води до лоша ефективност, по-обемни конфигурации и т.н.

Друго голямо предимство на MOSFET срещу BJT е неговото високо входно съпротивление, което прави възможно директното интегриране с всяка логическа интегрална схема, независимо колко голям е натоварването, което се превключва от устройството. Това предимство също ни позволява да свързваме много MOSFET паралелно дори с много ниски токови входове (в mA).

MOSFET са основно два вида, а именно. подобрение тип режим и изчерпване тип режим. Типът подобрение е по-често използван и е най-разпространеният.

“на кой принцип работят индуктивните амперметри? ”

MOSFET-овете от N-тип могат да бъдат включени или активирани чрез прилагане на определено положително напрежение на техните порти, докато MOSFET-овете от P-тип ще изискват точно обратното, което е отрицателно напрежение, за да се включи.

Базов резистор BJT срещу MOSFET резистор на портата

Както беше обяснено по-горе, превключването на база на BJT зависи от тока. Това означава, че базовият му ток трябва да се увеличи пропорционално с увеличаване на тока на натоварване на колектора.

Това предполага, че базовият резистор в BJT играе важна роля и трябва да бъде правилно изчислен, за да се гарантира, че натоварването е включено оптимално.

Базовото напрежение за BJT обаче няма голямо значение, тъй като може да бъде само 0,6 до 1 волта за задоволително превключване на свързания товар.

С MOSFET-ите е точно обратното, можете да ги включите с всяко напрежение между 3 V и 15 V, с ток от 1 до 5 mA.

Следователно, базов резистор може да е от решаващо значение за BJT, но резистор за порта на MOSFET може да е без значение. Въпреки това трябва да се включи резистор с ниска стойност, само за да се предпази устройството от внезапни скокове на напрежение и преходни процеси.

Тъй като напрежения над 5 V или до 12 V са лесно достъпни от повечето цифрови и аналогови интегрални схеми, MOSFET портата може бързо да бъде свързана с всеки такъв източник на сигнал, независимо от тока на натоварване.

Как да заменим транзистор (BJT) с MOSFET

Като цяло можем лесно да заменим BJT с MOSFET, при условие че се грижим за съответните полярности.

За NPN BJT можем да заменим BJT с правилно посочен MOSFET по следния начин:

Отстранете основния резистор от веригата, защото обикновено не се нуждаем от него вече с MOSFET.
Свържете портата на N-MOSFET директно към източника на активиращо напрежение.
Поддържайте положителното захранване свързано към един от терминалите на товара и свържете другия терминал на товара към дренажа на MOSFET.
И накрая, свържете източника на MOSFET към земята ....... СТАВЕНО, заменихте BJT с MOSFET в рамките на минути.

Процедурата ще остане, както по-горе, дори за PNP BJT да бъде заменен с P-канален MOSFET, ще трябва просто да обърнете съответните полярности на захранването.