Какво е транзисторно насищане

Какво е транзисторно насищане

В предишния пост научихме BJT пристрастия , в тази статия ще научим какво е транзисторно или BJT насищане и как бързо да определим стойността чрез формули и практически оценки.



Какво е транзисторно насищане

Терминът наситеност се отнася до всяка система, при която нивата на спецификация са достигнали максималната стойност.

Може да се каже, че транзисторът работи в своята зона на насищане, когато текущият параметър достигне максимално определената стойност.





Можем да вземем за пример напълно мокра гъба, която може да е в наситено състояние, когато в нея няма място за задържане на допълнителна течност.

Регулирането на конфигурацията може да доведе до бърза промяна на нивото на насищане на транзистора.



Като каза това, максималното ниво на насищане винаги ще бъде според максималния ток на колектора на устройството, както е посочено в таблицата с данни на устройството.

В конфигурациите на транзистори обикновено се гарантира, че устройството не достига точката на насищане, тъй като в тази ситуация основният колектор престава да бъде в обратен пристрастен режим, причинявайки изкривявания в изходните сигнали.

Можем да видим работна точка в областта на насищане на фигура 4.8а. Забележете, че това е специфичният регион, където съединението на характеристичните криви с напрежението колектор-емитер е по-ниско от VCEsat или на същото ниво. Също така, токът на колектора е сравнително висок по характерните криви.

Как да изчислим нивото на насищане на транзистора

Чрез сравняване и осредняване на характеристичните криви от фиг. 4.8а и 4.8б, ние можем евентуално да постигнем бърз метод за определяне на нивото на насищане.

На фиг. 4.8b виждаме, че нивото на тока е относително по-високо, докато нивото на напрежение е 0V. Ако приложим закона на Ом тук, можем да изчислим съпротивлението между колекторите и излъчващите щифтове на BJT по следния начин:

Практическо изпълнение на горната формула може да се види на фигура 4.9 по-долу:

Това предполага, че когато е необходимо бързо да се оцени приблизителният ток на насищане на колектора за даден BJT във верига, можете просто да приемете еквивалентна стойност на късо съединение през колекторния излъчвател на устройството и след това да го приложите във формулата за получаване на приблизителното ток на насищане на колектора. Казано по-просто, задайте VCE = 0V и след това можете лесно да изчислите VCEsat.

В схеми с конфигурация с фиксирано отклонение, както е показано на фиг. 4.10, може да се приложи късо съединение, което може да доведе до напрежение в RC, равно на напрежението Vcc.

Токът на насищане, развиващ се при горното състояние, може да се интерпретира със следния израз:

Решаване на практически пример за намиране на тока на насищане на BJT:

Ако сравним горния резултат с резултата, който получихме в края на този пост , откриваме, че резултатът I CQ = 2,35 mA е далеч по-ниско от горните 5,45 mA, което предполага, че обикновено BJTs никога не работят в нивото на насищане във веригите, а при много по-ниски стойности.




Предишен: DC пристрастия в транзистори - BJT Следва: Законът на Ом / Законът на Кирхоф, използващ линейни диференциални уравнения от първи ред